تولید قدرتمندترین رم HBM

شرکت سامسونگ از عرضه نسل سوم حافظه‌های رم HBM خود با ظرفیت ۱۶ گیگابایت موسوم به فلش بلت خبر داده است. سرعت انتقال داده‌ها از طریق این حافظه‌های رم ۱۶ گیگابایتی برابر با ۲/ ۳ گیگابیت در ثانیه است. استفاده از رم‌های HBM باعث ارتقای عملکرد حافظه رایانه‌ها شده و به شرکت‌های سازنده رایانه کمک می‌کند تا ابررایانه‌های قدرتمندتری بسازند.

افزایش سرعت تحلیل داده‌ها در برنامه‌های هوش مصنوعی و بهتر کردن سرعت برنامه‌های گرافیکی و تدوین ویدئو از جمله مزایای استفاده از رم‌های مذکور است. در رم‌های یادشده از ۸ لایه دی رم ۱۰ نانومتری برای افزایش سرعت استفاده شده است و از همین رو عملکرد حافظه مذکور در مقایسه با بهترین رم‌های موجود در بازار ۳/ ۱ برابر بهتر است.

البته در محیط‌های آزمایشگاهی سرعت انتقال داده با استفاده از این رم به ۲/ ۴ گیگابیت در ثانیه نیز رسیده است. اما هنوز در عمل چنین رمی وارد بازار نشده است. قرار است تولید انبوه فلش‌بلت برای عرضه در بازار از نیمه اول سال جاری میلادی آغاز شود. قیمت این محصول هنوز مشخص نشده است.